额定电压DC 30.0 V
额定电流 17.0 A
漏源极电阻 7.00 MΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta
产品系列 IRF7809AV
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0V min
连续漏极电流Ids 13.3 A
上升时间 36 ns
输入电容Ciss 3780pF @16VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7809AV 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC N-Channel 30V 13.3A 7MΩ | 当前型号 | SOIC N-CH 30V 13.3A | 当前型号 |
| 型号： IRF7809AVTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 30V 13.3A | 类似代替 | IRF7809AVTRPBF 编带 | IRF7809AV和IRF7809AVTRPBF的区别 |
| 型号： IRF7809AVTR 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N-CH 30V 13.3A | 类似代替 | SOIC N-CH 30V 13.3A | IRF7809AV和IRF7809AVTR的区别 |
| 型号： IRF7809AVPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 13.3A | 功能相似 | INFINEON IRF7809AVPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14.5 A, 30 V, 0.007 ohm, 4.5 V, 1 V | IRF7809AV和IRF7809AVPBF的区别 |
