MRF6V4300NBR1、MRF6V4300NBR5、MRF6V2300NBR1对比区别

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型号 MRF6V4300NBR1 MRF6V4300NBR5 MRF6V2300NBR1

描述 Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-272W T/RTrans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-272W T/RNXP MRF6V2300NBR1 RF FET Transistor, 110V, 2.5mA, 300W, 10MHz, 600MHz, TO-272

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管MOS管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Flange

引脚数 5 5 4

封装 TO-272 TO-270-4 TO-272

频率 450 MHz 450 MHz 220 MHz

额定电流 2.5 mA 2.5 mA 2.5 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

耗散功率 - - 300 W

漏源极电压(Vds) - 110 V 110 V

漏源击穿电压 - - 110V (min)

连续漏极电流(Ids) - - 2.50 mA

输出功率 300 W 300 W 300 W

增益 22 dB 22 dB 25.5 dB

测试电流 900 mA 900 mA 900 mA

输入电容(Ciss) 304pF @50V(Vds) 304pF @50V(Vds) 268pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 110 V 110 V 110 V

电源电压 - - 50 V

极性 - N-Channel -

封装 TO-272 TO-270-4 TO-272

高度 - 2.64 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -65℃ ~ 225℃ -

ECCN代码 EAR99 - -