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MMBT2131T1、MMBT2131T1G、MMBT2131T3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2131T1 MMBT2131T1G MMBT2131T3

描述 通用晶体管 General Purpose Transistors通用晶体管 General Purpose Transistors通用晶体管 General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 SC-74 SC-74-6 SC-74

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -

额定电流 -700 mA -700 mA -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 0.665 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.7A 0.7A 0.7A

最小电流放大倍数(hFE) - 150 @100mA, 3V -

额定功率(Max) - 342 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 665 mW -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.5 mm -

高度 - 0.94 mm -

封装 SC-74 SC-74-6 SC-74

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -