CY7C1315BV18-200BZC、CY7C1315BV18-200BZXI、CY7C1315BV18-200BZXC对比区别

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型号 CY7C1315BV18-200BZC CY7C1315BV18-200BZXI CY7C1315BV18-200BZXC

描述 18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

电源电压(DC) - - 1.80 V, 1.90 V (max)

时钟频率 - - 200MHz (max)

位数 - 36 36

存取时间 - - 200 µs

内存容量 - - 18000000 B

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

长度 - 15 mm -

宽度 - 13 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free