SST26VF016BT-104V/SM、SST26VF016B-104V/SM对比区别
型号 SST26VF016BT-104V/SM SST26VF016B-104V/SM
描述 Flash Serial-SPI 2.5V/3V 16Mbit 16M x 1Bit 8ns 8Pin SOIJ T/RSST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。### 特点串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip
数据手册 --
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 存储芯片Flash芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
时钟频率 - 104 MHz
存取时间(Max) 8 ns 8 ns
工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
电源电压(Max) - 3.6 V
电源电压(Min) - 2.7 V
长度 - 5.26 mm
宽度 - 5.25 mm
高度 - 1.98 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 105℃ (TA) -40℃ ~ 105℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
ECCN代码 - 3A991.b.1.a