SST26VF016BT-104V/SM
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
电子元器件分类
SST26VF016BT-104V/SM中文资料参数规格
技术参数
存取时间Max 8 ns
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SST26VF016BT-104V/SM引脚图与封装图
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在线购买SST26VF016BT-104V/SM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SST26VF016BT-104V/SM | Microchip 微芯 | Flash Serial-SPI 2.5V/3V 16Mbit 16M x 1Bit 8ns 8Pin SOIJ T/R | 搜索库存 |
替代型号SST26VF016BT-104V/SM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SST26VF016BT-104V/SM 品牌： Microchip 微芯 封装： 8-SOIC | 当前型号 | Flash Serial-SPI 2.5V/3V 16Mbit 16M x 1Bit 8ns 8Pin SOIJ T/R | 当前型号 |
| 型号： SST26VF016B-104V/SM 品牌： 微芯 封装： 8-SOIC | 完全替代 | SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 SQI SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ SQI™ SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place XIP 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 SPI 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。### 特点串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 SPI 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip | SST26VF016BT-104V/SM和SST26VF016B-104V/SM的区别 |