锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TLV2333IDGKR、TLV2333IDGKT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2333IDGKR TLV2333IDGKT

描述 运算放大器 - 运放 350 kHz, Low-Noise, RRIO, CMOS Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems 8-VSSOP -40 to 125TLV2333IDGKT 编带

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 VSSOP-8 VSSOP-8

供电电流 17 µA 17 µA

电路数 2 2

通道数 2 -

共模抑制比 102 dB 102 dB

输入补偿漂移 20.0 nV/K 20.0 nV/K

转换速率 160 mV/μs 160 mV/μs

增益频宽积 350 kHz 350 kHz

输入补偿电压 2 µV 2 µV

输入偏置电流 70 pA 70 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 102 dB 102 dB

电源电压(Max) 5.5 V -

电源电压(Min) 1.8 V -

封装 VSSOP-8 VSSOP-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free