FQA17N40、FQA24N60、FQPF7N80C对比区别

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型号 FQA17N40 FQA24N60 FQPF7N80C

描述 400V N沟道MOSFET 400V N-CHANNEL MOSFETON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF7N80C, 6.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 400 V - -

额定电流 17.2 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 270 mΩ 0.24 Ω 1.57 Ω

极性 N-Channel - -

耗散功率 190 W 310 W 56 W

漏源极电压(Vds) 400 V 600 V 800 V

漏源击穿电压 400 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 17.2 A - -

上升时间 185 ns 270 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 2300pF @25V(Vds) 4200pF @25V(Vds) 1290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 190 W 310 W 56 W

下降时间 105 ns 170 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 190W (Tc) 310 W 56000 mW

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 5 V 5 V

长度 16.2 mm 15.8 mm 10.16 mm

宽度 5 mm 5 mm 4.7 mm

高度 20.1 mm 18.9 mm 9.19 mm

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 - -