FQA17N40
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA17N40中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 17.2 A
通道数 1
漏源极电阻 270 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 17.2 A
上升时间 185 ns
输入电容Ciss 2300pF @25VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 105 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQA17N40引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQA17N40
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQA17N40 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 400V 17.2A 270mohms | 当前型号 | 400V N沟道MOSFET 400V N-CHANNEL MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQA24N60 品牌： 安森美 封装： TO-3P-3 | 功能相似 | ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装 | FQA17N40和FQA24N60的区别 |