KSP42BU、KSP42TA、MPSA42G对比区别

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型号 KSP42BU KSP42TA MPSA42G

描述 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSP42TA  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 625 mW, 500 mA, 25 hFEON SEMICONDUCTOR  MPSA42G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 625 mW, 500 mA, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 50 MHz 50 MHz 50 MHz

额定电压(DC) 300 V 300 V 300 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

额定功率 - - 625 mW

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

增益频宽积 50 MHz - 50 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @30mA, 10V 40 @30mA, 10V 25 @1mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) - 25 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

长度 4.58 mm 4.58 mm 5.2 mm

宽度 3.93 mm 3.86 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 4.58 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Tape & Box (TB) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99