TL082CDT、LME49860MA/NOPB、LF412CDR对比区别

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型号 TL082CDT LME49860MA/NOPB LF412CDR

描述 STMICROELECTRONICS  TL082CDT  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 16 V/µs, 6V 至 36V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LME49860MA/NOPB  芯片, 音频放大器, AB类, SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  LF412CDR  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器音频放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 7V ~ 36V - -

输出电流 40 mA 37.0 mA -

供电电流 1.4 mA 10.5 mA 4.5 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 680 mW - 0.5 W

共模抑制比 70 dB 110 dB 70 dB

带宽 4 MHz 55.0 GHz 3 MHz

转换速率 16.0 V/μs 20.0 V/μs 13.0 V/μs

增益频宽积 4 MHz 55 MHz 3 MHz

输入补偿电压 3 mV 140 µV 800 µV

输入偏置电流 20 pA 10 nA 50 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 4 MHz 55 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) 680 mW - 500 mW

共模抑制比(Min) 70 dB - 70 dB

电源电压 6V ~ 36V - -

电源电压(Max) 36 V 44 V 36 V

电源电压(Min) 6 V 5 V 7 V

输入补偿漂移 - - 10.0 µV/K

增益 - 140 dB -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 3.91 mm

高度 1.65 mm 1.45 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99