STD155N3LH6、BUK662R5-30C,118、IPB03N03LB对比区别

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型号 STD155N3LH6 BUK662R5-30C,118 IPB03N03LB

描述 N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsD2PAK N-CH 30V 100AOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 1 - -

漏源极电阻 3 mΩ - -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 110 W 204 W 150W (Tc)

输入电容 3800 pF - 7.62 nF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - -

上升时间 85 ns 59 ns -

输入电容(Ciss) 3800pF @25V(Vds) 6960pF @25V(Vds) 7624pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 204 W -

下降时间 40 ns 113 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 204W (Tc) 150W (Tc)

连续漏极电流(Ids) - 100A 80.0 A

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 80.0 A

栅电荷 - - 59.0 nC

长度 6.6 mm - -

宽度 6.2 mm - -

高度 2.4 mm - -

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead