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BUK662R5-30C,118

BUK662R5-30C,118

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

D2PAK N-CH 30V 100A

N-Channel 30 V 100A Tc 204W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
NEXPERIA BUK662R5-30C - 100A, 30


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH TRENCH D2PACK


BUK662R5-30C,118中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 204 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 59 ns

输入电容Ciss 6960pF @25VVds

额定功率Max 204 W

下降时间 113 ns

耗散功率Max 204W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BUK662R5-30C,118引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BUK662R5-30C,118 NXP 恩智浦 D2PAK N-CH 30V 100A 搜索库存
替代型号BUK662R5-30C,118
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BUK662R5-30C,118

品牌: NXP 恩智浦

封装: D2PAK N-Channel 30V 100A

当前型号

D2PAK N-CH 30V 100A

当前型号

型号: FDB8860

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-263 N-Channel 30V 31A 2.3mohms

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BUK662R5-30C,118和FDB8860的区别

型号: STD155N3LH6

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel

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