
极性 N-Channel
耗散功率 204 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 59 ns
输入电容Ciss 6960pF @25VVds
额定功率Max 204 W
下降时间 113 ns
耗散功率Max 204W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BUK662R5-30C,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 30V 100A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BUK662R5-30C,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: D2PAK N-Channel 30V 100A | 当前型号 | D2PAK N-CH 30V 100A | 当前型号 | |
型号: FDB8860 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-263 N-Channel 30V 31A 2.3mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8860 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 30 V, 1.6 mohm, 10 V, 1.7 V | BUK662R5-30C,118和FDB8860的区别 | |
型号: STD155N3LH6 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel | 功能相似 | N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | BUK662R5-30C,118和STD155N3LH6的区别 |