STN2NF10、PHT4NQ10T,135、IRFL4310TR对比区别

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型号 STN2NF10 PHT4NQ10T,135 IRFL4310TR

描述 STMICROELECTRONICS  STN2NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 100 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 VNXP  PHT4NQ10T,135  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 VIRFL4310TR N沟道MOSFET 2.2A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 FL4310 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 2.00 A - 2.20 A

通道数 1 1 -

针脚数 4 4 -

漏源极电阻 0.23 Ω 0.2 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 3.3 W 6.9 W 2.1 W

阈值电压 4 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 3.50 A 2.20 A

上升时间 10 ns 13 ns 18.0 ns

输入电容(Ciss) 280pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.3 W 6.9 W 1 W

下降时间 3 ns 11 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 3.3W (Tc) 6.9W (Tc) -

产品系列 - - IRFL4310

长度 6.5 mm - -

宽度 3.5 mm 3.7 mm -

高度 1.8 mm - -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -