PHT4NQ10T,135
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NXP
恩智浦
分立器件
PHT4NQ10T,135中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 6.9 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 300pF @25VVds
额定功率Max 6.9 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 6.9W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
宽度 3.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PHT4NQ10T,135引脚图与封装图
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在线购买PHT4NQ10T,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHT4NQ10T,135 | NXP 恩智浦 | NXP PHT4NQ10T,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号PHT4NQ10T,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHT4NQ10T,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-223 N-Channel 100V 3.5A | 当前型号 | NXP PHT4NQ10T,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： PHT4NQ10T/T3 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 100V 3.5A 300pF | 类似代替 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | PHT4NQ10T,135和PHT4NQ10T/T3的区别 |
| 型号： STN2NF10 品牌： 意法半导体 封装： SOT-223 N-Channel 100V 2A 260mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STN2NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 100 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V | PHT4NQ10T,135和STN2NF10的区别 |