IRF7456TRPBF、STS11N3LLH5、IRF7456PBF对比区别

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型号 IRF7456TRPBF STS11N3LLH5 IRF7456PBF

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.0047Ω; ID 16A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V; -55STMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 VN沟道 20V 16A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 0.02 Ω 0.0117 Ω 6.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.7 W 2.5 W

阈值电压 - 1 V 2 V

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

输入电容(Ciss) 3640pF @15V(Vds) 724pF @25V(Vds) 3640pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 2.7W (Tc) 2500 mW

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定电流 16.0 A - 16.0 A

产品系列 IRF7456 - IRF7456

输入电容 3640pF @15V - -

漏源击穿电压 20 V - 20.0 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A - 16.0 A

上升时间 25.0 ns - 25 ns

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

下降时间 - - 52 ns

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17