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IRF7456TRPBF

IRF7456TRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRF7456TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 16.0 A

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

产品系列 IRF7456

输入电容 3640pF @15V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 25.0 ns

输入电容Ciss 3640pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF7456TRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF7456TRPBF
型号 制造商 描述 购买
IRF7456TRPBF International Rectifier 国际整流器 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.0047Ω; ID 16A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V; -55 搜索库存
替代型号IRF7456TRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF7456TRPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOIC N-Channel 20V 16A

当前型号

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.0047Ω; ID 16A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V; -55

当前型号

型号: STS11N3LLH5

品牌: 意法半导体

封装: SOIC N-Channel

功能相似

STMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V

IRF7456TRPBF和STS11N3LLH5的区别

型号: SI4866DY-T1-E3

品牌: 威世

封装: SO N-Channel 12V 17A 5.5mΩ

功能相似

SOIC-8 N-CH 12V 17A 5.5mΩ

IRF7456TRPBF和SI4866DY-T1-E3的区别