STB13NM50N、STD14NM50N对比区别

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型号 STB13NM50N STD14NM50N

描述 N沟道500 V - 0.250 Ω - 12一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 - TO- 247 - TO- 220FP - I2PAK - D2PAK N-channel 500 V - 0.250 Ω - 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAKSTMICROELECTRONICS  STD14NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-263-3 TO-252-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 320 mΩ 0.28 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 100 W 90 W

阈值电压 - 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) - 12A

上升时间 15 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 960pF @50V(Vds) 816pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 90 W

下降时间 10 ns 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 100W (Tc) 90W (Tc)

通道数 1 -

漏源击穿电压 500 V -

长度 10.4 mm 6.6 mm

宽度 9.35 mm 6.2 mm

高度 4.6 mm 2.4 mm

封装 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC