STB13NM50N中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 320 mΩ
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 960pF @50VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB13NM50N引脚图与封装图
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在线购买STB13NM50N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB13NM50N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道500 V - 0.250 Ω - 12一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 - TO- 247 - TO- 220FP - I2PAK - D2PAK N-channel 500 V - 0.250 Ω - 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAK | 搜索库存 |
替代型号STB13NM50N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB13NM50N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-263-3 | 当前型号 | N沟道500 V - 0.250 Ω - 12一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 - TO- 247 - TO- 220FP - I2PAK - D2PAK N-channel 500 V - 0.250 Ω - 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAK | 当前型号 |
| 型号： STD14NM50N 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 500V 12A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD14NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V | STB13NM50N和STD14NM50N的区别 |