STD5NM60、STD5NM60T4对比区别

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型号 STD5NM60 STD5NM60T4

描述 N沟道650V TJMAX - 0.9ohm -8A TO- 220 / FP / D / IPAK / D2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripFET II MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD5NM60T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3

引脚数 - 3

极性 N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 5A 5.00 A

额定电压(DC) - 600 V

额定电流 - 5.00 A

额定功率 - 96 W

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 1 Ω

耗散功率 - 96 W

阈值电压 - 4 V

漏源击穿电压 - 600 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

上升时间 - 10 ns

输入电容(Ciss) - 400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 96 W

下降时间 - 10 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 96W (Tc)

封装 DPAK TO-252-3

长度 - 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm

高度 - 2.4 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99