IRFP260、STW38NB20、IRFP260NPBF对比区别

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型号 IRFP260 STW38NB20 IRFP260NPBF

描述 Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3N - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFETN 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 38.0 A -

耗散功率 - 180W (Tc) 300 W

输入电容 - 3.80 nF 4057 pF

栅电荷 - 95.0 nC -

漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) - 38.0 A 50A

输入电容(Ciss) - 3800pF @25V(Vds) 4057pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 180W (Tc) 300W (Tc)

额定功率 - - 300 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.04 Ω

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 - - 200 V

上升时间 - - 60 ns

热阻 - - 0.5℃/W (RθJC)

额定功率(Max) - - 300 W

下降时间 - - 48 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 - TO-247-3 TO-247-3

长度 - - 15.9 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 20.3 mm

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17