STW38NB20中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 38.0 A
耗散功率 180W Tc
输入电容 3.80 nF
栅电荷 95.0 nC
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 38.0 A
输入电容Ciss 3800pF @25VVds
耗散功率Max 180W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
STW38NB20引脚图与封装图 
STW38NB20引脚图
STW38NB20封装图
STW38NB20封装焊盘图
在线购买STW38NB20
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STW38NB20 | ST Microelectronics 意法半导体 | N - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STW38NB20
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STW38NB20 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-247 200V 38A 3.8nF | 当前型号 | N - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IRFP260N 品牌： 英飞凌 封装： TO-247AC N-Channel 200V 50A 40mΩ | 功能相似 | TO-247AC N-CH 200V 50A | STW38NB20和IRFP260N的区别 |
| 型号： IRFP260 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 50A ID, 200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3 | STW38NB20和IRFP260的区别 |