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AD820BRZ、OP177FSZ、TLE2061AID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD820BRZ OP177FSZ TLE2061AID

描述 ANALOG DEVICES  AD820BRZ  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3 V/µs, ± 2.5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚ANALOG DEVICES  OP177FSZ  运算放大器, 单路, 600 kHz, 1个放大器, 0.3 V/µs, ± 3V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TLE2061AID  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 18.0 V

输出电流 - - ≤80 mA

供电电流 700 µA 1.6 mA 290 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 8

共模抑制比 80 dB 140 dB 65 dB

输入补偿漂移 - - 6.00 µV/K

带宽 1.8 MHz 600 kHz 1.8 MHz

转换速率 3.00 V/μs 300 mV/μs 3.40 V/μs

增益频宽积 1.8 MHz 600 kHz 1.8 MHz

输入补偿电压 300 µV 10 µV 500 µV

输入偏置电流 2 pA 1.2 nA 4 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.9 MHz 600 kHz 2 MHz

共模抑制比(Min) 72 dB 130 dB 65 dB

耗散功率 1 W 500 mW -

输入阻抗 10.0 TΩ 200 GΩ -

耗散功率(Max) 1000 mW 500 mW -

电源电压(Max) 30 V 22 V -

输入电容 2.80 pF - -

电源电压 5V ~ 36V - -

电源电压(Min) 5 V - -

长度 5 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

军工级 No No -

ECCN代码 EAR99 - -