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DTD113ZKT146、DTD113ZUT106、DTD113ZL-AE3-6-R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTD113ZKT146 DTD113ZUT106 DTD113ZL-AE3-6-R

描述 ROHM  DTD113ZKT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 82 hFEROHM  DTD113ZUT106  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 82 hFESmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FREE PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) UTC (友顺)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SC-70-3 -

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

额定功率 0.2 W 0.2 W -

极性 NPN NPN -

耗散功率 200 mW 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 500mA 500mA -

最小电流放大倍数(hFE) 82 @50mA, 5V 82 @50mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) 82 82 -

额定功率(Max) 200 mW 200 mW -

直流电流增益(hFE) 82 82 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

增益带宽 200 MHz 200 MHz -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -

长度 2.9 mm 2.00 mm -

宽度 1.6 mm 1.25 mm -

高度 1.2 mm 0.80 mm -

封装 SOT-23-3 SC-70-3 -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -