DTD113ZUT106
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTD113ZUT106中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 500 mA
额定功率 0.2 W
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 82 @50mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 82
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 82
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.80 mm
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
DTD113ZUT106引脚图与封装图 
DTD113ZUT106引脚图
DTD113ZUT106封装图
DTD113ZUT106封装焊盘图
在线购买DTD113ZUT106
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTD113ZUT106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM DTD113ZUT106 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 82 hFE | 搜索库存 |
替代型号DTD113ZUT106
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTD113ZUT106 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-323 NPN 50V 500mA 0.2W | 当前型号 | ROHM DTD113ZUT106 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 82 hFE | 当前型号 |
| 型号： DTD113ZKT146 品牌： 罗姆半导体 封装： SC59 NPN 50V 500mA 200mW | 完全替代 | ROHM DTD113ZKT146 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 82 hFE | DTD113ZUT106和DTD113ZKT146的区别 |
| 型号： DTD113ZL-AE3-6-R 品牌： 友顺 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A IC, 50V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FREE PACKAGE-3 | DTD113ZUT106和DTD113ZL-AE3-6-R的区别 |