2N6766、JAN2N6766、IRF250对比区别

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型号 2N6766 JAN2N6766 IRF250

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Semelab

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 TO-204 TO-3 TO-204

引脚数 2 - 3

极性 - N-CH -

耗散功率 150 W 4W (Ta), 150W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) - 30A -

耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc) 150000 mW

输入电容(Ciss) - - 3500pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

漏源极电阻 0.085 Ω - -

阈值电压 2 V - -

封装 TO-204 TO-3 TO-204

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -