锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车

JAN2N6766

数据手册.pdf

每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

This family of 2N6764, 2N6766, 2N6768 and 2N6770 switching transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications.  These devices are also available in a thru hole TO-254AA leaded package.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

JAN2N6766中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 4W Ta, 150W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 30A

耗散功率Max 4W Ta, 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JAN2N6766引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN2N6766
型号 制造商 描述 购买
JAN2N6766 Microsemi 美高森美 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 搜索库存
替代型号JAN2N6766
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JAN2N6766

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-3 N-CH 200V 30A

当前型号

每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

当前型号

型号： 2N6766

品牌： 英飞凌

封装：

功能相似

Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin2+Tab TO-3

JAN2N6766和2N6766的区别

型号： IRF251

品牌： IXYS Semiconductor

封装：

功能相似

High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series

JAN2N6766和IRF251的区别

型号： IRF250PBF

品牌： 英飞凌

封装：

功能相似

TO-3 N-CH 200V 30A

JAN2N6766和IRF250PBF的区别