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FDB8445、SUM70N04-07L-E3、BUK764R0-55B,118对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB8445 SUM70N04-07L-E3 BUK764R0-55B,118

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8445  场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 0.0068Ω, 70A, TO-263AB-3N通道40 -V (D -S ) 175摄氏度MOSFET N-Channel 40-V (D-S) 175 Celsius MOSFETD2PAK N-CH 55V 193A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

引脚数 3 - 3

耗散功率 92 W 3.75 W 300 W

耗散功率(Max) 92W (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) 300W (Tc)

漏源极电阻 6.8 mΩ - 0.0034 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

阈值电压 2.5 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 40 V - 55 V

连续漏极电流(Ids) 70.0 A - 75.0 A

上升时间 19 ns - 51 ns

输入电容(Ciss) 3805pF @25V(Vds) - 6776pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 92 W - 300 W

下降时间 16 ns - 41 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 70.0 A - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

输入电容 3.80 nF - -

栅电荷 62.0 nC - -

漏源击穿电压 40 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

高度 4.83 mm - 4.5 mm

长度 10.97 mm - -

宽度 9.65 mm - -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -