FDB8445
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB8445中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 70.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 6.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 92 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 3.80 nF
栅电荷 62.0 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 3805pF @25VVds
额定功率Max 92 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 92W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.97 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB8445引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDB8445
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB8445 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8445 场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 0.0068Ω, 70A, TO-263AB-3 | 搜索库存 |
替代型号FDB8445
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB8445 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 40V 70A 17.2mohms 3.8nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8445 场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 0.0068Ω, 70A, TO-263AB-3 | 当前型号 |
| 型号： FDB8445_F085 品牌： 飞兆/仙童 封装： D²PAK N-CH 40V 70A | 类似代替 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDB8445和FDB8445_F085的区别 |
| 型号： PHB191NQ06LT,118 品牌： 恩智浦 封装： SOT404 N-Channel 55V 75A | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | FDB8445和PHB191NQ06LT,118的区别 |
| 型号： BUK764R0-55B,118 品牌： 恩智浦 封装： D2PAK N-Channel 55V 75A | 功能相似 | D2PAK N-CH 55V 193A | FDB8445和BUK764R0-55B,118的区别 |