STB80NF03L-04T4、SPB80N03S2L-03 G、SPB80N03S203GATMA1对比区别
型号 STB80NF03L-04T4 SPB80N03S2L-03 G SPB80N03S203GATMA1
描述 N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETMOSFET N-CH 30V 80A D2PAKD2PAK N-CH 30V 80A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3-2
引脚数 3 - -
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 300 W 300W (Tc) 300W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80A
输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 8180pF @25V(Vds) 7020pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 80.0 A 80.0 A -
通道数 1 - -
漏源极电阻 4.00 mΩ - -
输入电容 5500 pF 8.18 nF -
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
上升时间 270 ns - -
额定功率(Max) 300 W - -
下降时间 95 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
栅电荷 - 220 nC -
封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3-2
宽度 9.35 mm - -
工作温度 -60℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free