SPB80N03S203GATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPB80N03S203GATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80A
输入电容Ciss 7020pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPB80N03S203GATMA1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPB80N03S203GATMA1 | Infineon 英飞凌 | D2PAK N-CH 30V 80A | 搜索库存 |
替代型号SPB80N03S203GATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPB80N03S203GATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 30V 80A | 当前型号 | D2PAK N-CH 30V 80A | 当前型号 |
| 型号： STB80NF03L-04T4 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK N-Channel 30V 80A 4mΩ | 功能相似 | N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET | SPB80N03S203GATMA1和STB80NF03L-04T4的区别 |