IRFP32N50KPBF、STW23NM50N、STW20NM50FD对比区别

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型号 IRFP32N50KPBF STW23NM50N STW20NM50FD

描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STW23NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STW20NM50FD  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 500 V - 500 V

额定电流 32.0 A - 20.0 A

额定功率 460 W - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 160 mΩ 0.162 Ω 0.25 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 460 W 125 W 214 W

阈值电压 5 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 32.0 A - 20.0 A

上升时间 120 ns 19 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 5280pF @25V(Vds) 1330pF @50V(Vds) 1380pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 460 W 125 W 214 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃

下降时间 - 29 ns 15 ns

耗散功率(Max) - 125W (Tc) 214W (Tc)

通道数 - - 1

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm 15.75 mm

宽度 - 5.15 mm 5.15 mm

高度 - 20.15 mm 20.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - - NLR