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IRG4IBC20KD、IRG4IBC20KDPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4IBC20KD IRG4IBC20KDPBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 11.5A 3Pin (3+Tab) TO-220 Full-PakINFINEON  IRG4IBC20KDPBF  单晶体管, IGBT, N通道, 11.5 A, 3.01 V, 34 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚 新

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 34 W 34 W

针脚数 - 3

耗散功率 - 34 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

反向恢复时间 37 ns 37 ns

额定功率(Max) 34 W 34 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 34000 mW

长度 - 10.67 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 - 9.02 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99