IRG4IBC20KD
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRG4IBC20KD中文资料参数规格
技术参数
额定功率 34 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 37 ns
额定功率Max 34 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRG4IBC20KD引脚图与封装图
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在线购买IRG4IBC20KD
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4IBC20KD | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 11.5A 3Pin 3+Tab TO-220 Full-Pak | 搜索库存 |
替代型号IRG4IBC20KD
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4IBC20KD 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 11.5A 3Pin 3+Tab TO-220 Full-Pak | 当前型号 |
| 型号： IRG4IBC20KDPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-220FP 34000mW | 完全替代 | INFINEON IRG4IBC20KDPBF 单晶体管, IGBT, N通道, 11.5 A, 3.01 V, 34 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚 新 | IRG4IBC20KD和IRG4IBC20KDPBF的区别 |