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PACDN006MR、PACDN006M/R、DALC112S1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PACDN006MR PACDN006M/R DALC112S1

描述 ON SEMICONDUCTOR  PACDN006MR  ESD Protection Device, 6-CH, MSOP, 8 Pins, 5.5 V 新6Channel ESD PROTECTION ARRAYSTMICROELECTRONICS  DALC112S1  静电保护装置, TVS, SOIC, 8 引脚, 1.3 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

封装 MSOP-8 SOD SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 MSOP-8 SOD SOIC-8

长度 3.1 mm - 5 mm

宽度 3.1 mm - 4 mm

高度 0.95 mm - 1.25 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作电压 5.5 V - 1.3 V

电容 5 pF - 7 pF

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 8 - 8

耗散功率 0.2 W - -

钳位电压 13 V - -

测试电流 20 mA - -

脉冲峰值功率 0.2 W - -

工作温度(Max) 85 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW - -

额定电压(DC) - - 18.0 V

击穿电压 - - 18 V

电路数 - - 6

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 EAR99 - EAR99