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BD436、BD441G、TIP48G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD436 BD441G TIP48G

描述 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP TransistorON SEMICONDUCTOR  BD441G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新TIP 系列 300 V 1 A NPN 通孔 硅 功率晶体管 - TO-220AB

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 77-09 TO-225-3 TO-220-3

频率 - 3 MHz 10 MHz

额定电压(DC) - 80.0 V 300 V

额定电流 - 4.00 A 1 A

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 36 W 40 W

增益频宽积 - 3 MHz 10 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 300 V

热阻 - - 3.125℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - 4A 1A

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @500mA, 1V 30 @300mA, 10V

额定功率(Max) - 36 W 2 W

直流电流增益(hFE) - 15 10

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 36000 mW 40 W

长度 - 7.74 mm 10.28 mm

宽度 - 2.66 mm 4.82 mm

高度 - 11.04 mm 15.75 mm

封装 77-09 TO-225-3 TO-220-3

材质 - Silicon Silicon

重量 - - 0.0004535924 kg

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99