IPP80N06S2LH5AKSA1、IPP80N06S2LH5AKSA2、STP80NF55-08对比区别

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型号 IPP80N06S2LH5AKSA1 IPP80N06S2LH5AKSA2 STP80NF55-08

描述 TO-220 N-CH 55V 80AN-CH 55V 80ASTMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 300W (Tc) 300W (Tc) 300 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80.0 A

输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300 W

通道数 - 1 -

上升时间 - 23 ns 110 ns

下降时间 - 22 ns 35 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 80.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.008 Ω

阈值电压 - - 3 V

漏源击穿电压 - - 55.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

额定功率(Max) - - 300 W

封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10 mm 10.4 mm

宽度 - 4.4 mm 4.6 mm

高度 - 15.65 mm 15.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17