锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

OPA2613IDTJ、OPA2613IDTJRG3、OPA2613IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OPA2613IDTJ OPA2613IDTJRG3 OPA2613IDR

描述 双路,宽带,高输出电流,具有电流限制运算放大器 Dual, Wideband, High Output Current, Operational Amplifier with Current Limit高速运算放大器 Dual Wideband Hi-Output Current双路,宽带,高输出电流,具有电流限制运算放大器 Dual, Wideband, High Output Current, Operational Amplifier with Current Limit

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 12 mA 12 mA 12 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

输入补偿漂移 3.30 µV/K 3.30 µV/K 3.30 µV/K

转换速率 60.0 V/μs 60.0 V/μs 60.0 V/μs

增益频宽积 125 MHz 125 MHz 125 MHz

输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV

输入偏置电流 6 µA 6 µA 6 µA

可用通道 D D D

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

3dB带宽 230 MHz 230 MHz 230 MHz

增益带宽 125 MHz - 118 MHz

共模抑制比 - - 88dB ~ 100dB

带宽 - - 125 MHz

共模抑制比(Min) - - 85 dB

电源电压 - - 5V ~ 12V

电源电压(Max) - - 12.6 V

长度 4.89 mm 4.89 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 3.91 mm

高度 1.39 mm 1.39 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - - EAR99