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IRF3707ZS、IRF3707ZSPBF、IRL3103PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3707ZS IRF3707ZSPBF IRL3103PBF

描述 D2PAK N-CH 30V 59AINFINEON  IRF3707ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1.8 VINFINEON  IRL3103PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

额定功率 - 57 W 83 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0095 Ω 0.012 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 57W (Tc) 57 W 83 W

阈值电压 - 1.8 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 59A 59A 64A

上升时间 - 41 ns 120 ns

输入电容(Ciss) 1210pF @15V(Vds) 1210pF @15V(Vds) 1650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 94 W

下降时间 - 3.6 ns 9.1 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 57W (Tc) 57W (Tc) 94W (Tc)

长度 - 10.67 mm 10 mm

宽度 - 9.65 mm 4.4 mm

高度 - 4.83 mm 15.65 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17