
极性 N-CH
耗散功率 57W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 59A
输入电容Ciss 1210pF @15VVds
耗散功率Max 57W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF3707ZS 品牌: Infineon 英飞凌 封装: D2PAK N-CH 30V 59A | 当前型号 | D2PAK N-CH 30V 59A | 当前型号 | |
型号: IRF3707ZSPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 59A | 类似代替 | INFINEON IRF3707ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1.8 V | IRF3707ZS和IRF3707ZSPBF的区别 | |
型号: IRF3707ZSTRLPBF 品牌: 英飞凌 封装: TO-263-3 N-CH 30V 59A | 类似代替 | Infineon IRF3707ZS 系列 N沟道 MOSFET IRF3707ZSTRLPBF, 59 A, Vds=30 V, 2 + Tab引脚 D2PAK封装 | IRF3707ZS和IRF3707ZSTRLPBF的区别 | |
型号: IRLB8721PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 30V 62A | 功能相似 | INFINEON IRLB8721PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.8 V | IRF3707ZS和IRLB8721PBF的区别 |