MTD3055VL1、MTD3055VLT4、MTD3055VL对比区别

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型号 MTD3055VL1 MTD3055VLT4 MTD3055VL

描述 功率MOSFET 12安培， 60伏 Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts功率MOSFET 12安培， 60伏 Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts功率MOSFET 12安培， 60伏 Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-251 TO-252 TO-252-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 12A 12A 12.0 A

上升时间 85 ns - -

输入电容(Ciss) 410pF @25V(Vds) - 570pF @25V(Vds)

下降时间 43 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 48000 mW - 48 W

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 12.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.18 Ω

耗散功率 - - 3.9 W

阈值电压 - - 1.5 V

输入电容 - - 570 pF

栅电荷 - - 10.0 nC

漏源击穿电压 - - 60.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

额定功率(Max) - - 1.5 W

封装 TO-251 TO-252 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Rail - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Lead Free