FDS6682、IRF8721TRPBF、SI4162DY-T1-GE3对比区别

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型号 FDS6682 IRF8721TRPBF SI4162DY-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6682  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.7 VTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8Pin SOIC T/RVISHAY  SI4162DY-T1-GE3..  晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.0075 Ω - 0.0065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 5 W

阈值电压 1.7 V - 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 7 ns - 15 ns

下降时间 16 ns - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2500 mW

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 14.0 A - -

通道数 1 - -

输入电容 2.31 nF - -

栅电荷 22.0 nC - -

漏源击穿电压 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A -

输入电容(Ciss) 2310pF @15V(Vds) 1040pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 1 W 2.5 W -

产品系列 - IRF8721 -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99