FMH23N50ES、STW24NK55Z、24N50L-T3P-T对比区别

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型号 FMH23N50ES STW24NK55Z 24N50L-T3P-T

描述 TO-3P(Q) N-CH 500V 23AN沟道550 V - 0.18 Ω - 23 A - TO- 247齐纳保护超网？功率MOSFET N-channel 550 V - 0.18 Ω - 23 A - TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFETPower Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) ST Microelectronics (意法半导体) UTC (友顺)

分类 MOS管

封装 TO-3 TO-247-3 -

安装方式 - Through Hole -

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 500 V 550 V -

连续漏极电流(Ids) 23A - -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 220 mΩ -

耗散功率 - 285 W -

漏源击穿电压 - 550 V -

上升时间 - 35 ns -

输入电容(Ciss) - 4397.5pF @25V(Vds) -

下降时间 - 88 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 285W (Tc) -

封装 TO-3 TO-247-3 -

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Tube -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -