STW24NK55Z中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 220 mΩ
耗散功率 285 W
漏源极电压Vds 550 V
漏源击穿电压 550 V
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 4397.5pF @25VVds
下降时间 88 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 285W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STW24NK55Z引脚图与封装图
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在线购买STW24NK55Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STW24NK55Z | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道550 V - 0.18 Ω - 23 A - TO- 247齐纳保护超网？功率MOSFET N-channel 550 V - 0.18 Ω - 23 A - TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STW24NK55Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STW24NK55Z 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-247-3 | 当前型号 | N沟道550 V - 0.18 Ω - 23 A - TO- 247齐纳保护超网？功率MOSFET N-channel 550 V - 0.18 Ω - 23 A - TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SFF24N50B 品牌： Solid State Devices 封装： | 功能相似 | N-CH 500V 24A | STW24NK55Z和SFF24N50B的区别 |
| 型号： FMH23N50ES 品牌： 富士电机 封装： | 功能相似 | TO-3PQ N-CH 500V 23A | STW24NK55Z和FMH23N50ES的区别 |