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OPA659IDRBR、OPA659IDRBT、OPA653IDRBT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OPA659IDRBR OPA659IDRBT OPA653IDRBT

描述 宽带,单位增益稳定, JFET输入运算放大器 Wideband, Unity-Gain Stable, JFET-Input OPERATIONAL AMPLIFIERTEXAS INSTRUMENTS  OPA659IDRBT  运算放大器, 单路, 350 MHz, 1个放大器, 2550 V/µs, ± 3.5V 至 ± 6.5V, SON, 8 引脚宽带,固定增益, JFET输入放大器 Wideband, Fixed Gain, JFET-Input AMPLIFIER

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VDFN-8 VSON EP-8 VSON EP-8

供电电流 32 mA 32 mA 32 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

共模抑制比 68 dB 68 dB 62dB ~ 66dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K 10.0 µV/K 10.0 µV/K

转换速率 2.55 kV/μs 2.55 kV/μs 2.68 kV/μs

增益频宽积 350 MHz 350 MHz 500 MHz

输入补偿电压 1 mV 5 mV 1 mV

输入偏置电流 10 pA 0.05 nA 10 pA

可用通道 S S S

3dB带宽 650 MHz 650 MHz 500 MHz

增益带宽 350 MHz 350 MHz -

共模抑制比(Min) 68 dB 68 dB -

带宽 - 350 MHz 500 MHz

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

输出电流 - ≤100 mA -

针脚数 - 8 -

电源电压(Max) - 6.5 V -

封装 VDFN-8 VSON EP-8 VSON EP-8

长度 - - 3 mm

宽度 - - 3 mm

高度 - - 0.88 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15