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IPB80N04S204ATMA1、IPB80N04S204ATMA2、STB150NF04对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB80N04S204ATMA1 IPB80N04S204ATMA2 STB150NF04

描述 D2PAK N-CH 40V 80AN沟道 40V 80AN沟道40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STripFET™II Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 300W (Tc) 300W (Tc) 300 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

上升时间 - 45 ns 150 ns

输入电容(Ciss) 5300pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds) 3650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W -

下降时间 - 32 ns 45 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 80A - -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 7 mΩ

漏源击穿电压 - - 40 V

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 9.35 mm

高度 - - 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free