BZV55-B39T/R、BZV55-B39,115对比区别

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型号 BZV55-B39T/R BZV55-B39,115

描述 DIODE 39 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator DiodeMini-MELF 39V 0.5W(1/2W)

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2

封装 - Mini-MELF

容差 - ±2 %

针脚数 - -

正向电压 - 900mV @10mA

耗散功率 - 0.5 W

测试电流 - 2 mA

稳压值 - 39 V

额定功率(Max) - 500 mW

工作温度(Max) - 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW

正向电压(Max) - 900mV @10mA

额定电压(DC) 39.0 V -

额定功率 500 mW -

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

封装 - Mini-MELF

工作温度 - -65℃ ~ 200℃

温度系数 - 34.8 mV/K

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape, Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free