BZV55-B39,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BZV55-B39,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 0.5 W
测试电流 2 mA
稳压值 39 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 Mini-MELF
外形尺寸
封装 Mini-MELF
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 34.8 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZV55-B39,115引脚图与封装图
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在线购买BZV55-B39,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZV55-B39,115 | NXP 恩智浦 | Mini-MELF 39V 0.5W1/2W | 搜索库存 |
替代型号BZV55-B39,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZV55-B39,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： Mini-MELF | 当前型号 | Mini-MELF 39V 0.5W1/2W | 当前型号 |
| 型号： BZV55-B39T/R 品牌： 恩智浦 封装： 39V | 完全替代 | DIODE 39 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode | BZV55-B39,115和BZV55-B39T/R的区别 |