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SI3457DV、SI3457DV_NL、FDC658AP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI3457DV SI3457DV_NL FDC658AP

描述 单P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETMOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC658AP  晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -1.8 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -4.00 A - -

漏源极电阻 0.05 Ω - 0.044 Ω

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 1.6 W - 1.6 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±25.0 V - ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4A 4.00 mA

上升时间 12 ns - 12 ns

输入电容(Ciss) 470pF @25V(Vds) 470pF @25V(Vds) 470pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

下降时间 6 ns - 6 ns

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) - 1.6 W

额定功率 - - 1.6 W

针脚数 - - 6

阈值电压 - - 1.8 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.7 mm

高度 - - 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99