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L6388D013TR、L6388E、L6388ED对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6388D013TR L6388E L6388ED

描述 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVERL6388 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - DIP-8STMICROELECTRONICS  L6388ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

频率 - - 0.4 MHz

电源电压(DC) 17.0V (max) - 9.60V (min)

上升/下降时间 70ns, 40ns 70ns, 40ns 70ns, 40ns

输出接口数 2 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 750 mW 750 mW 750 mW

上升时间 - 100 ns 100 ns

输出电流(Max) - 0.65 A 0.65 A

下降时间 - 80 ns 80 ns

下降时间(Max) 80 ns 80 ns 80 ns

上升时间(Max) 100 ns 100 ns 100 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -45 ℃ -45 ℃ -45 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

电源电压 - - 17 V

电源电压(Max) - 17 V 17 V

电源电压(Min) - - 9.6 V

长度 - 10.92 mm 4.9 mm

宽度 - 6.6 mm 3.9 mm

高度 - 3.32 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99